Il sistema di evaporazione a fascio di elettroni ad alto vuoto della serie EBE- deposita pellicole sottili ad elevata-purezza per applicazioni ottiche, semiconduttori e metallurgiche. Dirigendo un fascio di elettroni focalizzato magneticamente sui materiali sorgente all'interno di una camera a vuoto, il sistema ottiene un riscaldamento localizzato e una rapida vaporizzazione. Questo metodo previene la contaminazione del crogiolo e tratta in modo efficace i metalli refrattari e i dielettrici-di elevata purezza.
La camera in acciaio inossidabile integra criopompe o pompe turbomolecolari, raggiungendo pressioni di base inferiori a 5 x 10^-5 Pa per ridurre al minimo l'incorporazione di gas residuo durante la crescita del film.
Specifiche tecniche
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Parametro |
Specifica |
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Massima pressione del vuoto |
< 5 x 10^-5 Pa (after 4-hour bake-out) |
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Pompa-Tempo di inattività |
< 15 min to 1 x 10^-3 Pa (empty, clean chamber) |
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E-Potenza della pistola |
Da 6 kW a 15 kW (frequenza di scansione fino a 100 Hz) |
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E-Configurazione della pistola |
Crogiolo indicizzabile a 4 o 6 tasche (da 10 cc a 40 cc) |
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Dimensioni del supporto del substrato |
Può ospitare substrati fino a un diametro di 200 mm o piastre portanti personalizzate |
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Velocità di rotazione del substrato |
Da 0 a 30 giri/min (velocità variabile con inclinazione regolabile) |
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Uniformità dello spessore del film |
Da +/- 1% a +/- 2% su un raggio di 100 mm (dispositivo planetario) |
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Materiale della camera |
Acciaio inossidabile 304L (finitura interna elettrolucidata, Ra < 0,2 um) |
Caratteristiche principali
Riscaldamento diretto con fascio E-:Bypassa i limiti resistivi della barca; fonde materiali ad alto-punto di fusione-tra cui tungsteno, platino e allumina.
Spazzata del raggio programmabile:Le bobine elettromagnetiche a doppio asse- distribuiscono il raggio sulla superficie evaporante, prevenendo la formazione di crateri e garantendo un consumo uniforme del materiale.
Indicizzazione multi-tascabile:I crogioli in rame-raffreddati ad acqua consentono la deposizione multistrato sequenziale-senza interrompere il vuoto.
Monitoraggio della velocità QCM:I doppi sensori a cristallo di quarzo monitorano la velocità di deposizione e lo spessore del film, collegandosi direttamente al controller PLC/PID.
Architettura di sicurezza:Gli interblocchi hardware proteggono da guasti dell'acqua di raffreddamento, pressione elevata della camera e perdite della guarnizione della porta.
Configurazione del sistema di vuoto
Fase di sgrossatura:La pompa rotativa a palette a doppio-stadio abbinata a un soffiatore per radici raggiunge una sgrossatura rapida fino a 10 Pa.
Stadio di alto vuoto:Pompa turbo-molecolare (da 1200 L/s a 2200 L/s) accoppiata con una pompa criogenica per elio a circuito chiuso-, isolata tramite valvole a saracinesca pneumatiche.
Monitoraggio della pressione:I manometri Pirani/catodo freddo a gamma-completa monitorano la pressione della camera dall'atmosfera al vuoto ultra-alto.
Diagnostica:Le porte flangiate KF e CF ospitano rilevatori di perdite di elio.
Materiali e substrati della pellicola
Materiali evaporanti supportati
Metalli: Ti, Cr, Al, Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Ta, W, Mo
Dielettrici: SiO2, TiO2, Ta2O5, Al2O3, ZrO2, HfO2
Substrati compatibili
Wafer di silicio monocristallino- (da diametro 100 mm a diametro 300 mm)
Vetro ottico, silice fusa e quarzo
Ceramiche di allumina (Al2O3) e nitruro di alluminio (AlN).
Fogli metallici flessibili e film in poliimmide (tramite moduli roll-to-roll)
Applicazioni
Fabbricazione di semiconduttori:Contatti di gate metallici, strati di barriera alla diffusione e contatti ohmici (Ti/Pt/Au, Cr/Au).
Filtri per interferenze ottiche:Rivestimenti multi-strato per specchi laser, filtri passa-banda e lenti anti-riflesso utilizzando ossidi dielettrici alternati.
Ricerca e sviluppo nel fotovoltaico:Strati di pellicola-sottile per celle solari a perovskite e CIGS.
Rivestimenti funzionali:Strati protettivi di ossido metallico per componenti aerospaziali e di sensori.
Personalizzazione
Geometria della camera:Camere cilindriche verticali o orizzontali ridimensionate per pannelli piatti di grandi dimensioni o parti 3D.
Modifica del substrato:Polarizzazione CC/RF per la deposizione-assistita da ioni (IAD) e riscaldatori del substrato classificati fino a 600 gradi C.
Carica-Blocca integrazione:Camere di blocco a- o doppia-carico wafer-per ridurre i cicli di pompaggio-durante i cicli ad alta-velocità effettiva.
Integrazione del controllo:Script PLC/SCADA personalizzati che supportano l'automazione delle ricette, la registrazione dei dati e la comunicazione SECS/GEM.
Controllo di qualità
Test di tenuta con spettrometro di massa ad elio:Camere testate a soglie inferiori a 1 x 10^-9 Pa*m^3/s prima dell'accettazione in fabbrica.
Verifica della sicurezza elettrica:Test di resistenza all'isolamento ad alta-tensione, continuità di messa a terra e interblocco eseguiti secondo gli standard CE/IEC.
Controllo dimensionale:Verifica con macchina di misura a coordinate (CMM) delle superfici di tenuta e degli allineamenti delle flange.
Test di accettazione in fabbrica (FAT):Funzionamento a secco continuo di 72 ore di pompe per vuoto, gruppi di movimento e unità di potenza con report completi sui dati.
Installazione e supporto tecnico
Messa in-commissione in loco:Gli ingegneri gestiscono il livellamento della camera, i collegamenti alle utenze (acqua, energia elettrica, gas, scarico) e la cottura iniziale sotto vuoto-.
Calibrazione del processo:Il supporto tecnico stabilisce i tassi di deposizione di base e le curve di calibrazione dello spessore del film durante i test di accettazione in sito (SAT).
Spedizione pezzi di ricambio:Parti critiche soggette a usura-filamenti, crogioli, cristalli QCM e guarnizioni per vuoto-stoccate localmente.
Diagnostica remota:I moduli diagnostici sicuri consentono il recupero dei registri PLC in tempo reale-per una rapida risoluzione dei problemi.
Domande frequenti
D: Qual è l'uniformità massima di spessore su un substrato di 200 mm?
R: L'uniformità dello spessore viene mantenuta entro il +/-- 1.5% su un'area di 200 mm di diametro quando si utilizza il dispositivo di rotazione planetaria.
D: Il sistema è in grado di gestire processi di evaporazione reattiva?
R: Sì. I controllori di flusso di massa integrati (MFC) iniettano ossigeno, azoto o argon per la formazione di pellicole reattive di ossido e nitruro.
D: Quali requisiti di utilità devono essere preparati sul-sito?
A: The system requires a dedicated 3-phase power supply (380V/480V, 50/60 Hz), chilled water (>40 L/min, 20 +/- 2 gradi C), aria compressa (da 0,4 a 0,6 MPa) e una linea di scarico della pompa per vuoto.
D: Quali sono i tempi di consegna tipici?
R: Le configurazioni standard vengono spedite in 12-16 settimane. I sistemi personalizzati con blocchi del carico o camere specializzate richiedono dalle 20 alle 26 settimane dall'approvazione del disegno al FAT.
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