Attrezzatura per l'evaporazione del fascio di elettroni ad alto vuoto

Attrezzatura per l'evaporazione del fascio di elettroni ad alto vuoto

Dettagli
Il sistema di evaporazione a fascio di elettroni ad alto vuoto della serie EBE- deposita pellicole sottili ad elevata-purezza per applicazioni ottiche, semiconduttori e metallurgiche. Dirigendo un fascio di elettroni focalizzato magneticamente sui materiali sorgente all'interno di una camera a vuoto, il sistema ottiene un riscaldamento localizzato e una rapida vaporizzazione. Questo metodo previene la contaminazione del crogiolo e tratta in modo efficace i metalli refrattari e i dielettrici-di elevata purezza.
Classificazione del prodotto
Attrezzatura per film sottile di evaporazione con fascio di elettroni
 
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Descrizione
Parametri tecnici

Il sistema di evaporazione a fascio di elettroni ad alto vuoto della serie EBE- deposita pellicole sottili ad elevata-purezza per applicazioni ottiche, semiconduttori e metallurgiche. Dirigendo un fascio di elettroni focalizzato magneticamente sui materiali sorgente all'interno di una camera a vuoto, il sistema ottiene un riscaldamento localizzato e una rapida vaporizzazione. Questo metodo previene la contaminazione del crogiolo e tratta in modo efficace i metalli refrattari e i dielettrici-di elevata purezza.


La camera in acciaio inossidabile integra criopompe o pompe turbomolecolari, raggiungendo pressioni di base inferiori a 5 x 10^-5 Pa per ridurre al minimo l'incorporazione di gas residuo durante la crescita del film.

 

Specifiche tecniche

 

Parametro

Specifica

Massima pressione del vuoto

< 5 x 10^-5 Pa (after 4-hour bake-out)

Pompa-Tempo di inattività

< 15 min to 1 x 10^-3 Pa (empty, clean chamber)

E-Potenza della pistola

Da 6 kW a 15 kW (frequenza di scansione fino a 100 Hz)

E-Configurazione della pistola

Crogiolo indicizzabile a 4 o 6 tasche (da 10 cc a 40 cc)

Dimensioni del supporto del substrato

Può ospitare substrati fino a un diametro di 200 mm o piastre portanti personalizzate

Velocità di rotazione del substrato

Da 0 a 30 giri/min (velocità variabile con inclinazione regolabile)

Uniformità dello spessore del film

Da +/- 1% a +/- 2% su un raggio di 100 mm (dispositivo planetario)

Materiale della camera

Acciaio inossidabile 304L (finitura interna elettrolucidata, Ra < 0,2 um)

 

Caratteristiche principali


Riscaldamento diretto con fascio E-:Bypassa i limiti resistivi della barca; fonde materiali ad alto-punto di fusione-tra cui tungsteno, platino e allumina.


Spazzata del raggio programmabile:Le bobine elettromagnetiche a doppio asse- distribuiscono il raggio sulla superficie evaporante, prevenendo la formazione di crateri e garantendo un consumo uniforme del materiale.


Indicizzazione multi-tascabile:I crogioli in rame-raffreddati ad acqua consentono la deposizione multistrato sequenziale-senza interrompere il vuoto.


Monitoraggio della velocità QCM:I doppi sensori a cristallo di quarzo monitorano la velocità di deposizione e lo spessore del film, collegandosi direttamente al controller PLC/PID.


Architettura di sicurezza:Gli interblocchi hardware proteggono da guasti dell'acqua di raffreddamento, pressione elevata della camera e perdite della guarnizione della porta.

 

Configurazione del sistema di vuoto


Fase di sgrossatura:La pompa rotativa a palette a doppio-stadio abbinata a un soffiatore per radici raggiunge una sgrossatura rapida fino a 10 Pa.


Stadio di alto vuoto:Pompa turbo-molecolare (da 1200 L/s a 2200 L/s) accoppiata con una pompa criogenica per elio a circuito chiuso-, isolata tramite valvole a saracinesca pneumatiche.


Monitoraggio della pressione:I manometri Pirani/catodo freddo a gamma-completa monitorano la pressione della camera dall'atmosfera al vuoto ultra-alto.


Diagnostica:Le porte flangiate KF e CF ospitano rilevatori di perdite di elio.

 

Materiali e substrati della pellicola

 

Materiali evaporanti supportati

Metalli: Ti, Cr, Al, Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Ta, W, Mo
Dielettrici: SiO2, TiO2, Ta2O5, Al2O3, ZrO2, HfO2

 

Substrati compatibili

Wafer di silicio monocristallino- (da diametro 100 mm a diametro 300 mm)
Vetro ottico, silice fusa e quarzo
Ceramiche di allumina (Al2O3) e nitruro di alluminio (AlN).
Fogli metallici flessibili e film in poliimmide (tramite moduli roll-to-roll)

Applicazioni


Fabbricazione di semiconduttori:Contatti di gate metallici, strati di barriera alla diffusione e contatti ohmici (Ti/Pt/Au, Cr/Au).


Filtri per interferenze ottiche:Rivestimenti multi-strato per specchi laser, filtri passa-banda e lenti anti-riflesso utilizzando ossidi dielettrici alternati.


Ricerca e sviluppo nel fotovoltaico:Strati di pellicola-sottile per celle solari a perovskite e CIGS.


Rivestimenti funzionali:Strati protettivi di ossido metallico per componenti aerospaziali e di sensori.

 

Personalizzazione


Geometria della camera:Camere cilindriche verticali o orizzontali ridimensionate per pannelli piatti di grandi dimensioni o parti 3D.


Modifica del substrato:Polarizzazione CC/RF per la deposizione-assistita da ioni (IAD) e riscaldatori del substrato classificati fino a 600 gradi C.


Carica-Blocca integrazione:Camere di blocco a- o doppia-carico wafer-per ridurre i cicli di pompaggio-durante i cicli ad alta-velocità effettiva.


Integrazione del controllo:Script PLC/SCADA personalizzati che supportano l'automazione delle ricette, la registrazione dei dati e la comunicazione SECS/GEM.

 

Controllo di qualità


Test di tenuta con spettrometro di massa ad elio:Camere testate a soglie inferiori a 1 x 10^-9 Pa*m^3/s prima dell'accettazione in fabbrica.


Verifica della sicurezza elettrica:Test di resistenza all'isolamento ad alta-tensione, continuità di messa a terra e interblocco eseguiti secondo gli standard CE/IEC.


Controllo dimensionale:Verifica con macchina di misura a coordinate (CMM) delle superfici di tenuta e degli allineamenti delle flange.


Test di accettazione in fabbrica (FAT):Funzionamento a secco continuo di 72 ore di pompe per vuoto, gruppi di movimento e unità di potenza con report completi sui dati.

 

Installazione e supporto tecnico


Messa in-commissione in loco:Gli ingegneri gestiscono il livellamento della camera, i collegamenti alle utenze (acqua, energia elettrica, gas, scarico) e la cottura iniziale sotto vuoto-.


Calibrazione del processo:Il supporto tecnico stabilisce i tassi di deposizione di base e le curve di calibrazione dello spessore del film durante i test di accettazione in sito (SAT).


Spedizione pezzi di ricambio:Parti critiche soggette a usura-filamenti, crogioli, cristalli QCM e guarnizioni per vuoto-stoccate localmente.


Diagnostica remota:I moduli diagnostici sicuri consentono il recupero dei registri PLC in tempo reale-per una rapida risoluzione dei problemi.

 

Domande frequenti

 

D: Qual è l'uniformità massima di spessore su un substrato di 200 mm?

R: L'uniformità dello spessore viene mantenuta entro il +/-- 1.5% su un'area di 200 mm di diametro quando si utilizza il dispositivo di rotazione planetaria.

D: Il sistema è in grado di gestire processi di evaporazione reattiva?

R: Sì. I controllori di flusso di massa integrati (MFC) iniettano ossigeno, azoto o argon per la formazione di pellicole reattive di ossido e nitruro.

D: Quali requisiti di utilità devono essere preparati sul-sito?

A: The system requires a dedicated 3-phase power supply (380V/480V, 50/60 Hz), chilled water (>40 L/min, 20 +/- 2 gradi C), aria compressa (da 0,4 a 0,6 MPa) e una linea di scarico della pompa per vuoto.

D: Quali sono i tempi di consegna tipici?

R: Le configurazioni standard vengono spedite in 12-16 settimane. I sistemi personalizzati con blocchi del carico o camere specializzate richiedono dalle 20 alle 26 settimane dall'approvazione del disegno al FAT.

 

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