Panoramica del prodotto
L'apparecchiatura per l'evaporazione a film sottile assistita da ioni-serie IAE integra la deposizione fisica in fase di vapore (PVD) con il bombardamento di fasci ionici in tempo reale-. Dirigendo gli ioni energetici sul substrato durante l'evaporazione termica o tramite fascio di elettroni-, il sistema trasferisce momento agli atomi di condensazione, ristrutturando la microstruttura del film in crescita.
Questo trasferimento di energia cinetica elimina i vuoti colonnari, sopprime l'assorbimento di umidità e blocca l'indice di rifrazione contro gli spostamenti dell'umidità ambientale. Realizzata per il funzionamento continuo su più-turni nelle linee di produzione ottica e di semiconduttori, la piattaforma gestisce substrati che vanno dall'ottica laser ad alta-precisione ai wafer di silicio.
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Apparecchiature per l'evaporazione sotto vuoto-assistita ...Il sistema di evaporazione sotto vuoto assistito da ioni-integra sorgenti di evaporazione termica ad alto-vuoto o a fascio di elettroni-con una sorgente ionica di tipo Kaufman-o End-Hall....Vedi più -
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Sistema di deposizione di film sottile-assistito da ioniIl sistema di deposizione di film sottile assistito da ioni-integra l'evaporazione termica/fascio di elettroni-multi-tasche con una sorgente ionica di tipo End-Hall o Kaufman-ad alte prestazioni....Vedi più -
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Apparecchiature per l'evaporazione assistita da fasci ioniciIl sistema IBAE combina il fascio di elettroni-o l'evaporazione termica con una sorgente ionica a fascio ampio-integrata. Il bombardamento ionico simultaneo durante la crescita del film...Vedi più -
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Apparecchiatura per la deposizione di film sottile-assist...L'apparecchiatura per la deposizione di film sottili assistita da ioni-serie IA integra l'evaporazione termica a fascio di elettroni-con una sorgente ionica Kaufman o End-Hall. Il bombardamento...Vedi più -
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Sistema di evaporazione a film sottile-assistita da ioniIl sistema a film sottile di evaporazione assistita da ioni (IAE) integra la deposizione fisica in fase di vapore (PVD) con il bombardamento energetico di fasci ionici. Durante l'evaporazione...Vedi più -
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Apparecchiature per film sottile-per evaporazione assisti...Sistema di evaporazione ionica assistita (IAE) di grado industriale che integra l'evaporazione di fasci di elettroni multitasche- con una sorgente di fasci di ioni energetici (configurazione...Vedi più
Specifiche tecniche
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Parametro |
Specifica |
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Pressione base finale |
< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping) |
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Fonti di evaporazione |
Pistola a fascio multi-E-tasca (4 × da 15 cc a 40 cc) e sorgenti termiche resistive |
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Tipo di sorgente ionica |
Sorgente ionica tipo Gridless End-Hall / Kaufman- (tensione del fascio: 50 – 1500 V, corrente ionica: 0,1 – 3 A) |
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Controllo dello spessore del film |
Microbilancia a cristalli di quarzo (QCM) + Sistema di monitoraggio ottico (OMS), precisione ± 0,1 nm |
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Fissaggio del substrato |
Dispositivo di rotazione planetaria, raggio della cupola personalizzato in base alla geometria del substrato |
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Riscaldamento del substrato |
Array di riscaldatori radianti, fino a 350 gradi con uniformità PID di ± 2 gradi |
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Architettura di controllo |
PLC + PC industriale, esecuzione ricette automatizzata, registrazione dati conforme SECS/GEM |
Processo di deposizione assistita da ioni
Generazione di vapore:
Il materiale viene evaporato dal crogiolo a fascio e- o dalla barca termica a velocità di deposizione controllate (0,1 – 2,0 nm/s).
01
Trasferimento dello slancio:
Gli ioni energetici (Ar⁺, O⁺) bombardano la superficie del substrato contemporaneamente al flusso di vapore in arrivo dal fascio E- o dalla sorgente termica.
02
Modifica della microstruttura:
L'impatto degli ioni migliora la mobilità della superficie dell'atomo, prevenendo la crescita colonnare dei grani e raggiungendo una densità apparente quasi-(densità di impaccamento > 99%).
03
Correzione stechiometrica:
L'assistenza ionica reattiva (O₂) garantisce la completa ossidazione dei sub-ossidi nelle pellicole di ossidi metallici (ad es. Ta₂O₅, Nb₂O₅, SiO₂), eliminando le bande di assorbimento nello spettro UV-NIR.
04
Materiali cinematografici
Ossidi:
SiO₂, Ta₂O₅, TiO₂, Nb₂O₅, HfO₂ (elevata stabilità dell'indice di rifrazione per filtri ottici).
Fluoruri:
MgF₂, LaF₃ (strati a basso indice di rifrazione per rivestimenti AR a banda larga).
Metalli:
Al, Ag, Au, Ti (Strati di adesione e riflettori metallici).
Applicazioni
Ottica laser e di precisione:
Filtri passa-banda, specchi dicroici e rivestimenti protettivi laser che richiedono un'elevata soglia di danno indotto dal laser (LIDT) e uno spostamento spettrale pari a zero sotto stress termico.
Vetro di copertura LiDAR:
Film sottili durevoli, anti-riflesso (AR) e anti-sporco, resistenti agli agenti atmosferici esterni aggressivi.
Imballaggio dei semiconduttori:
Strati di incapsulamento barriera contro l'umidità- e cuscinetti di contatto metallici depositati a basse temperature del substrato.
Sensori biomedici:
Rivestimenti di interferenza ottica biocompatibili per chip microfluidici diagnostici.
Personalizzazione
Le camere e i layout interni sono progettati in base a specifici ingombri produttivi e requisiti di processo:
Dimensioni della camera:
Scalabile da R=600 mm di unità di ricerca e sviluppo a R=1200 mm di sistemi di produzione ad alta-capacità.
Pacchetti di pompaggio:
Configurabile con pompe turbomolecolari Maglev, criopompe e linee di supporto del soffiatore Roots in base ai requisiti di carico di gas.
Integrazione sorgente:
Configurazioni a doppia-sorgente ionica o configurazioni di co-deposizione per leghe complesse e pellicole a gradiente multi-strato.
Livello di automazione:
Integrazione con sistemi automatizzati di trasferimento dei substrati per camere bianche (EFEM / Strumenti cluster sotto vuoto).
Controllo di qualità
Rilevamento perdite:
Ogni camera a vuoto viene sottoposta a test di tenuta dell'elio-utilizzando uno spettrometro di massa (tasso di perdita < 1,0 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s).
Tracciabilità dei componenti:
Valvole per vuoto, controllori di flusso di massa (MFC) e alimentatori provenienti da marchi industriali qualificati Tier-1 (MKS, Inficon, IVA).
Test di accettazione in fabbrica (FAT):
Esegui-test per verificare la pressione di base, la curva di pompaggio, la stabilità della sorgente e la resistenza continua a camera vuota per 24-ore prima della spedizione.
Convalida metrologica:
Sequenze di campioni verificate tramite spettrofotometro (trasmittanza/riflettanza) e microscopia a forza atomica (rugosità superficiale Ra < 0,5 nm).
Installazione e supporto tecnico
Guida alla preparazione del sito:
Requisiti completi delle utenze forniti prima della consegna (flusso/pressione dell'acqua di raffreddamento, aria compressa per camere bianche, distribuzione dell'energia, ventilazione degli scarichi).
Messa in servizio chiavi in mano:
I tecnici dell'assistenza sul campo gestiscono l'assemblaggio meccanico, la cottura sotto vuoto-, la calibrazione del fascio ionico e l'approvazione della ricetta del processo iniziale-sul-sito.
Formazione degli operatori:
Formazione pratica strutturata-che copre la manutenzione ordinaria, la sicurezza del vuoto, il funzionamento del software e la risoluzione dei problemi.
Supporto del ciclo di vita:
Interfaccia diagnostica remota per una rapida risoluzione dei problemi software; stock regionale di articoli critici soggetti a usura (filamenti, crogioli, protezioni) spediti entro 48 ore.
Domande frequenti
Siamo ben-conosciuti come uno dei principali produttori e fornitori di apparecchiature per l'evaporazione a film sottile con ioni-in Cina. Se intendi acquistare apparecchiature personalizzate per l'evaporazione a film sottile-assistita da ioni prodotte in Cina, ti invitiamo a ricevere il listino prezzi dalla nostra fabbrica. Per una consulenza sui prezzi, contattateci.
