Il sistema di deposizione di film sottili a fascio di elettroni offre un'elaborazione PVD direzionale e di elevata purezza-per la ricerca avanzata e la produzione industriale. Utilizzando un fascio di elettroni focalizzato e guidato magneticamente diretto sul materiale sorgente all'interno di un crogiolo di rame raffreddato ad acqua-, il sistema ottiene l'evaporazione termica di metalli refrattari, ossidi e composti dielettrici senza contaminazione del crogiolo.
Progettata per l'integrazione nelle camere bianche, l'architettura combina camere a vuoto modulari, pistole a fascio elettronico multi-tascabili- e automazione dei processi a ciclo chiuso- per regolare lo spessore del film, la stechiometria e la nitidezza dell'interfaccia.
Specifiche tecniche
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Parametro |
Gamma/dettaglio delle specifiche |
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Pressione base finale |
< 5 x 10^-7 Torr (Cryogenic or turbomolecular configurations) |
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Pompa-Tempo di inattività |
< 15 minutes to 1 x 10^-5 Torr (Clean, dry, empty chamber) |
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E-Potenza della pistola a raggi |
Da 3 kW a 10 kW (controller multi-sweep con scansione automatica-) |
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Configurazione del crogiolo |
da 4 a 6 tasche; Capacità da 7 cc a 40 cc per tasca |
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Supporto per substrato |
Stadi con rotazione-controllata da acqua/riscaldatore-che supportano wafer fino a 200 mm o substrati piatti personalizzati |
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Uniformità dello spessore del film |
< +/- 1% across a 100 mm deposition area (Optimized via planetary fixture or source-to-substrate distance) |
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Controllo del tasso di deposizione |
Da 0,01 nm/s a 10 nm/s regolati tramite la microbilancia a cristalli di quarzo (QCM) a doppio canale- |
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Materiale della camera |
Acciaio inossidabile 304L, elettrolucidato (Ra < 0,25 um), saldature interne ad alto-vuoto |
Caratteristiche principali
Deflessione magnetica a 270 gradi:Piega la traiettoria degli elettroni per proteggere il filamento dell'emettitore dal flusso di vapore diretto, estendendo la durata operativa e stabilizzando la corrente di emissione.
Controllo della scansione digitale:I modelli di fascio programmabili eliminano il tunneling localizzato del crogiolo e mantengono un consumo di materiale uniforme nei focolari multi-tascabili.
Regolamento QCM-a ciclo chiuso:Il feedback del doppio-sensore regola dinamicamente le uscite dell'alimentatore per stabilizzare i tassi di deposizione ed eliminare la deriva stechiometrica della lega.
Architettura di interblocco PLC:Monitoraggio in tempo reale-del flusso dell'acqua di raffreddamento, dell'isolamento ad alta-tensione, delle guarnizioni delle porte e della pressione principale per proteggere gli operatori e l'integrità del vuoto.
Porte di deposizione ausiliarie:I punti di accesso flangiati supportano l'integrazione secondaria, tra cui barche termiche, cannoni ionici a griglia con deposizione assistita da ioni (IAD) e catodi a polverizzazione magnetica.
Configurazione del sistema di vuoto
Fase di sgrossatura:La pompa scroll-senza olio abbinata a un soffiatore per radici raggiunge una sgrossatura isolata dalle vibrazioni-fino a 10^-2 Torr, eliminando il flusso di ritorno degli idrocarburi.
Stadio di vuoto- elevato:Pompa turbomolecolare (da 1200 L/s a 2200 L/s) supportata da una trappola criogenica, che sostiene pressioni di processo operative comprese tra 10^-6 e 10^-4 Torr.
Costruzione della camera:Acciaio inossidabile 304L con doppio-O-ring sigillato, antistress-con superfici interne elettrolucidate per ridurre al minimo il degassamento e la ritenzione di umidità.
Materiali e substrati della pellicola
Materiali di deposizione compatibili
Metalli refrattari:Titanio (Ti), Cromo (Cr), Tantalio (Ta), Molibdeno (Mo), Tungsteno (W), Platino (Pt), Oro (Au).
Dielettrici e ossidi:Biossido di silicio (SiO2), biossido di titanio (TiO2), pentossido di tantalio (Ta2O5), ossido di alluminio (Al2O3), biossido di afnio (HfO2).
Substrati compatibili
Wafer semiconduttori (Si, GaAs, InP, da 2 pollici a 8 pollici).
Grezzi di vetro ottico, finestre in quarzo, silice fusa e zaffiro.
Lamine metalliche flessibili e substrati ceramici (Al2O3).
Applicazioni
Fabbricazione di semiconduttori:Deposizione di contatti con gate in metallo, strati barriera e stack di metallizzazione a sollevamento-off per la ricerca microelettronica e linee pilota.
Ottica di precisione:Filtri ottici interferenziali multi-strato, rivestimenti anti-riflesso (AR), specchi laser ad alta-riflessione e divisori di fascio.
Optoelettronica:Elettrodi conduttivi trasparenti e strati di pellicola sottile-per display OLED, fotorilevatori e celle solari.
Materiali avanzati:Crescita di leghe magnetiche, precursori di superconduttori e rivestimenti protettivi-resistenti all'usura.
Opzioni di personalizzazione
Dimensioni della camera:Volumi verticali o orizzontali scalati per adattarsi ad apparecchiature industriali non-standard o a pannelli di-area di grandi dimensioni.
Configurazioni di co-evaporazione:Integrazione di più pistole a fascio E- e celle a effusione termica per la sintesi di leghe complesse.
Carica-Blocca integrazione:Bracci di trasferimento lineare manuali o automatizzati per mantenere un'elevata-integrità del vuoto durante il caricamento dei wafer-a velocità effettiva elevata.
Integrazione software:Protocolli personalizzati SCADA che supportano la modifica delle ricette, la registrazione degli audit e gli standard di automazione di fabbrica SECS/GEM.
Controllo qualità
Rilevamento perdite di elio:I test con spettrometro di massa garantiscono che i tassi di perdita delle camere di saldatura rimangano inferiori a 1 x 10^-9 atm*cm3/sec.
Verifica elettrica:Test di isolamento ad alta-tensione, controlli di continuità di terra e convalida della risposta degli interblocchi in base ai codici di sicurezza industriale.
Test di accettazione in fabbrica (FAT):Burn-in operativo continuo di 72-ore con registrazione delle curve di vuoto finali, stabilità delle emissioni della pistola ed esecuzione automatizzata delle ricette prima della spedizione.
Installazione e supporto tecnico
Guida pre-all'installazione:Documentazione dettagliata relativa ai circuiti dell'acqua refrigerata-a circuito chiuso, alla ventilazione di scarico, ai requisiti di carico elettrico (380 V/480 V trifase) e al carico del pavimento della camera bianca.
Messa in campo:Posizionamento meccanico in loco, collegamenti della linea del vuoto, collegamenti elettrici e calibrazione di base eseguiti dai tecnici dell'assistenza in fabbrica.
Formazione operativa:Istruzioni pratiche- sulla sostituzione del filamento, ricarica del crogiolo, calibrazione QCM e risoluzione dei problemi di routine del PLC.
Domande frequenti
D: Qual è il tempo di inattività standard della pompa-dalla pressione atmosferica alla pressione operativa?
R: Con una camera pulita e asciutta e una configurazione turbomolecolare standard, il sistema raggiunge una pressione base operativa di 5 x 10^-6 Torr in meno di 15 minuti.
D: È possibile configurare il sistema per la co-deposizione?
R: Sì. Le configurazioni con più-pistole o le configurazioni combinate di fascio E-e sorgente termica consentono la co-evaporazione simultanea con controller di velocità indipendenti.
D: Quali servizi della struttura sono necessari?
R: I servizi richiesti includono acqua refrigerata a circuito chiuso- (~20 gradi C, 0,3 MPa), aria compressa (0,6 MPa) per valvole pneumatiche, linee di spurgo N2 e alimentazione elettrica trifase dedicata corrispondente all'alimentazione scelta (da 3 kW a 10 kW).
D: Come si previene la-contaminazione incrociata tra materiali di origine diversi?
R: Il focolare multi-tasca utilizza un gruppo in rame-raffreddato ad acqua con rotazione tascabile indicizzabile, materiali fisicamente e termicamente isolanti, integrati da una schermatura personalizzata per arrestare il-flusso incrociato.
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