Sistema di deposizione di film sottile ibrido PVD

Il sistema ibrido di deposizione di film sottile PVD integra evaporazione termica, evaporazione con fascio di elettroni (e-beam) e sputtering di magnetron RF/CC all'interno di un'unica architettura sotto vuoto. Questa piattaforma consente la deposizione sequenziale o co-di metalli, leghe e dielettrici senza rompere il vuoto, prevenendo l'ossidazione interfacciale. Progettato per istituti di ricerca e sviluppo e linee di produzione pilota, il sistema gestisce substrati fino a 6 pollici con rotazione automatizzata multi-asse.

Prese modulari:Le flange della sorgente intercambiabili consentono una rapida riconfigurazione tra i catodi sputtering e gli evaporatori a fascio termico/e-.

Architettura di isolamento:Le valvole a saracinesca pneumatiche isolano la camera di processo dal camino ad alto- vuoto per ridurre al minimo la generazione di particelle.

Monitoraggio in-situ:Porte dedicate per sensori di microbilancia a cristalli di quarzo (QCM) e spettroscopia di emissione ottica (OES).

PLC di sicurezza interbloccato:Gli interblocchi hardware impediscono l'attivazione della sorgente in caso di alta pressione, mancanza di acqua di raffreddamento o violazioni della sicurezza.

Pompa per sgrossatura:Pompa scroll a secco (30 m^3/h) per eliminare il ritorno di idrocarburi.

Pompa per alto vuoto:Pompa turbomolecolare a levitazione magnetica (1200 L/s per N2) supportata da una trappola criogenica.

Calibri:Sensori combinati Pirani e catodo freddo che coprono l'atmosfera fino a 10^-7 Pa.

Cottura:Guaine riscaldanti a cartuccia con coperte isolanti esterne che raggiungono fino a 150 gradi C.

Materiali di evaporazione:
Metalli:Au, Ag, Al, Ti, Cr, Pt, Cu, Ni

Dielettrici e ossidi: SiO2, TiO2, Al2O3, ITO

Semiconduttori:Sì, Ge

Tipi di substrato:Wafer di silicio mono-cristallino, vetro, quarzo, pellicole di poliimmide e lamine metalliche.

Dispositivi optoelettronici:Elettrodi conduttivi trasparenti (ITO) e riflettori multi-strato per OLED e celle solari.

Imballaggio microelettronico:Metallizzazione sotto-bump (UBM) e strati seed per imballaggi a livello di wafer-.

Ricerca e sviluppo avanzati:Strutture di dispositivi quantistici, film sottili superconduttori e giunzioni tunnel magnetiche (MTJ).

Scala della camera:Dimensioni estese per substrati da 12 pollici o integrazione del vano portaoggetti.

Configurazione della sorgente:Volumi di crogiolo personalizzati, alimentatori con polarizzazione RF e moduli di deposizione assistita da ioni (IAD).

Automazione:Gestione delle ricette tramite touchscreen o piena conformità all'automazione di fabbrica SECS/GEM.

Test di tenuta:Test con spettrometro di massa ad elio per camera (< 1 x 10^-10 Pa*m^3/s threshold).

Controlli dimensionali:Verifica CMM delle distanze dalla sorgente-al-substrato e delle tolleranze delle flange.

Test elettrici:-Test dell'alta tensione, controlli di continuità della messa a terra e controlli EHS su tutte le linee ad alta-tensione.

Test di accettazione in fabbrica (FAT):Controlli pre-della spedizione relativi alla pressione di base, alla funzionalità della sorgente e al ciclo automatizzato presso la nostra struttura.

Installazione sul campo:Allineamento meccanico in loco-, verifica del collegamento delle utenze e test di accettazione del sito (SAT).

Documentazione:La consegna completa include schemi elettrici, diagrammi P&ID, backup PLC e certificati di test di fabbrica.