Apparecchiature per film sottile multi-processo PVD

L'apparecchiatura per film sottile multiprocesso PVD è una piattaforma integrata di deposizione sotto vuoto progettata per combinare più tecniche di fabbricazione di film sottili-sottili-tra cui sputtering magnetron RF/CC, evaporazione termica ed evaporazione con fascio di elettroni-all'interno di un'architettura sottovuoto unificata.

Questo sistema elimina la contaminazione da interruzione del vuoto tra strati di processo distinti, consentendo la deposizione di complesse pellicole multistrato metalliche, dielettriche e semiconduttrici senza esposizione ambientale. Configurato per cluster di ricerca e sviluppo in laboratorio o per linee di produzione-pilota, può ospitare substrati fino a 300 mm di diametro o supporti personalizzati.

Architettura modulare del vuoto:Camere di processo indipendenti accoppiate tramite valvole a saracinesca impediscono la-contaminazione incrociata tra lo sputtering reattivo e l'evaporazione-ad alto vuoto.

Nel-trasferimento del substrato sotto vuoto:I bracci di trasferimento magnetici o lineari mantengono l'alto vuoto (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.

Cambio-rapido delle flange di origine:I catodi sputter e i crogioli e-beam sono montati su flange CF standard per una rapida manutenzione e sostituzione del target.

Intrappolamento criogenico avanzato:Le trappole fredde integrate all'azoto liquido e le trappole Meissner riducono al minimo la pressione residua del vapore acqueo all'interno della camera.

Monitoraggio dello spessore del circuito-chiuso:I sensori della microbilancia a due cristalli di quarzo (QCM) forniscono feedback sulla velocità di deposizione e sullo spessore in tempo reale-collegati direttamente alla regolazione dell'alimentazione.

Fase di sgrossatura:Pompe scroll-senza olio abbinate a soffianti root-multistadio per eliminare il riflusso-di idrocarburi.

Stadio di alto vuoto:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 L/s per N2) e criopompe opzionali per un'elevata portata di vapore acqueo.

Regolazione della pressione:Manometri capacitivi Baratron per la misurazione della pressione assoluta indipendentemente dal tipo di gas, abbinati a valvole a farfalla automatizzate per un controllo preciso della pressione del gas di processo (da 0,1 Pa a 10 Pa).

Rilevamento perdite:Perdita di elio-testata a < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s prima del test di accettazione in fabbrica (FAT).

Obiettivi conduttivi:Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.

Materiali dielettrici:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (tramite sputtering reattivo o e-beam).

Tipi di substrato:
Wafer semiconduttori (silicio, arseniuro di gallio, fosfuro di indio).

Grezzi ottici (silice fusa, BK7, zaffiro).

Nastri flessibili e lamiere sottili (poliimmide, lamina di acciaio inossidabile).

Optoelettronica:Deposizione di strati di ossido conduttivo trasparente (TCO) e stack di filtri ottici anti-riflesso (AR).

Fabbricazione di dispositivi a semiconduttore:Formazione di contatti ohmici, barriere Schottky, strati seme per galvanica e barriere di diffusione (Ti/TiN).

Produzione di sensori:Estensimetri metallici a film sottile-, micro-elementi riscaldanti e trasduttori piezoelettrici.

Ricerca e sviluppo avanzati:Sintesi esplorativa di film sottili-multi-strato per componenti di calcolo quantistico e nuovi materiali per lo stoccaggio dell'energia.

Geometria della camera:Dimensioni della camera espandibile per substrati batch non-standard o sovradimensionati.

Integrazione sorgente:Rapporti di allocazione personalizzati tra pistole a spruzzo di magnetron e tasche di evaporazione del fascio di elettroni.

Sputtering di bias:Opzioni di polarizzazione RF/CC del substrato per la densificazione del film e il controllo dello stress.

Carica-Blocca integrazione:Aggiunta di camere di blocco del carico automatizzate-per mantenere l'integrità del vuoto elevato durante i cicli di caricamento ad alta-rendimento.

Tracciabilità dei materiali:Certificati di prova della fabbrica (MTC) forniti per tutti i componenti in acciaio inossidabile lato vuoto-e i telai strutturali.

Assemblaggio in camera bianca:Integrazione finale e verifica del conteggio delle particelle-eseguite in un ambiente di camera bianca ISO Classe 6.

Test di accettazione in fabbrica (FAT):Test di cottura sotto vuoto continuo di 72-ore, test di tenuta tramite spettrometria di massa con analizzatore di gas residuo (RGA) e ciclo di deposizione della pellicola di riferimento per verificare l'uniformità dello spessore.

Guida alla preparazione del sito:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 L/min), aria compressa, linee del gas di processo (Ar, O2, N2 con purezza del 99,999%) e requisiti di carico elettrico (trifase 380 V/480 V).

Messa in servizio:Installazione in loco, calibrazione del vuoto e test congiunti condotti da tecnici dell'assistenza sul campo in fabbrica.

Formazione degli operatori:Formazione strutturata in loco di 5-giorni che copre la manutenzione ordinaria, i protocolli di sicurezza del vuoto, la programmazione delle ricette e la risoluzione dei problemi di base.