Sistema a film sottile composito PVD

Sistema a film sottile composito PVD

Dettagli
Sistema di rivestimento sotto vuoto di livello industriale- che integra lo sputtering del magnetron (RF/DC/HiPIMS) e l'evaporazione dell'arco catodico. Progettato per la deposizione continua di film sottili-multi-strato, leghe e nano{3}}compositi su scala di produzione.
Classificazione del prodotto
Attrezzatura per film sottile composito PVD
 
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Descrizione
Parametri tecnici

Sistema di rivestimento sotto vuoto di livello industriale- che integra lo sputtering del magnetron (RF/DC/HiPIMS) e l'evaporazione dell'arco catodico. Progettato per la deposizione continua di film sottili-multi-strato, leghe e nano{3}}compositi su scala di produzione.

 

Specifiche tecniche

 

Parametro

Valore delle specifiche

Massima pressione del vuoto

<= 5.0 x 10^-4 Pa (Turbo-molecular and roots-rotary pump configuration)

Dimensioni della camera

Dimensionamento personalizzato da D 600 mm x 600 mm a D 1500 mm x 1500 mm (acciaio inossidabile elettrolucidato-304/316L)

Fonti di deposizione

Configurabile: 2-6 catodi sputtering magnetron / 2-4 sorgenti ad arco

Potere di polarizzazione del substrato

Da 0 a -1000 VCC regolabile (CC pulsata per substrati dielettrici)

Uniformità dello spessore del film

<= +/- 3% across standard planar holder (via dynamic planetary rotation)

Temperatura del substrato

Da ambiente a 650 gradi (+/- 2 gradi PID di controllo a circuito chiuso-)

Distribuzione dell'energia

RF (13,56 MHz), CC, CC pulsata e media-frequenza (MF) con soppressione dell'arco

 

Caratteristiche principali


Integrazione della doppia-tecnologia:Combina lo sputtering (film di composti lisci e amorfi) e l'arco catodico (deposizione di metalli/leghe ad alta-ionizzazione) in un ciclo di pompaggio-.


Gestione del gas-a circuito chiuso:I controllori di flusso di massa (MFC) abbinati al monitoraggio delle emissioni ottiche (OEM) stabilizzano le pressioni parziali dei gas reattivi.


Isolamento meccanico:Le unità planetarie multi-asse isolano i cuscinetti meccanici dalla zona di processo, prevenendo la contaminazione da particolato.


Architettura Termica:Le pareti della camera raffreddata ad acqua-a doppia parete e la schermatura contro le radiazioni impediscono la distorsione termica durante il funzionamento ad alta-potenza.


Nucleo di automazione:PLC Siemens S7-1500 e architettura WinCC SCADA per interblocco in tempo reale, monitoraggio di gas e potenza.

 

Configurazione del sistema di vuoto


Treno di sgrossatura:Pompe rotative a palette-a trasmissione diretta supportate da soffianti Roots con guarnizioni magnetiche per fluidi.


Alto vuoto:Pompe turbo-molecolari a levitazione magnetica (1200 - 3200 L/s) o pompe criogeniche.


Diagnostica:Porte di test integrate dello spettrometro di massa ad elio e interblocchi di sequenziamento automatizzati.

 

Compatibilità di materiali e substrati


Materiali di destinazione:
Metalli:Ti, Cr, Al, Zr, Cu, TiAl, CrAl, Si


Ceramica/Composti:TiN, CrN, TiAlN, DLC, Al2O3, SiO2


Substrati:Acciai per utensili (H13, M2, inserti in carburo), leghe strutturali di titanio/alluminio, ceramiche tecniche e wafer di silicio.

 

Applicazioni e prestazioni comprovate


Utensili da taglio:Rivestimenti multistrato-a basso-attrito e ad alta-durezza-multistrato (TiAlN/TiN) per una maggiore durata dell'utensile in condizioni di lavorazione a secco ad alta-velocità.


Automotive:Rivestimenti antiusura e anti-graffi per fasce elastiche e perni di iniezione del carburante.


Aerospaziale:Barriera termica-resistente all'ossidazione e pellicole protettive su pale del compressore e dispositivi di fissaggio.


Ottica ed elettronica:Ossidi trasparenti conduttivi (ITO) e filtri interferenziali ottici.

 

Opzioni di personalizzazione


Geometria della camera:Configurazioni di scatole rettangolari per il caricamento di rack batch o geometrie cilindriche in linea.


Retrofitting della sorgente:Flange di montaggio del catodo intercambiabili per la conversione sul campo in CFUBMS.


Incisione al plasma:Cannoni ionici di tipo Kaufmann-o sorgenti a catodo cavo per la pulizia del substrato in-situ.

 

Controllo qualità e test di fabbrica


Integrità del vuoto:Soglia per il test di tenuta dell'elio<= 1 x 10^-9 Pa*m^3/s.


Finitura superficiale:Saldature interne della camera elettro-lucidate a Ra<= 0.4 um.


GRASSO:Test di funzionamento a secco continuo di 72-ore del vuoto, del movimento e dei circuiti di interblocco di sicurezza prima dell'imballaggio.


Standard di conformità:Costruito secondo le direttive macchine CE e gli standard ISO 9001. (Icone del badge di fiducia: ISO 9001, CE, UL)

 

Installazione e supporto tecnico


Pacchetto di documentazione:Schemi P&ID, schemi elettrici, logica sorgente PLC e dossier di conformità CE/UL.


Messa in servizio:Gli ingegneri sul campo supervisionano il posizionamento meccanico, i collegamenti delle utenze e la verifica del controllo delle perdite.


SAT e consegna ricette:Esecuzioni di test di base-sul sito e ottimizzazione delle ricette.

 

Domande frequenti

 

D: Qual è il tempo di inattività della pompa-per raggiungere la pressione di base?

R: Raggiunge < 5,0 x 10^-4 Pa entro 45 minuti in condizioni termiche pulite, asciutte e ambientali.

D: Il sistema può passare dallo sputtering DC a quello RF durante il-processo?

R: Sì. La matrice di potenza consente il sequenziamento controllato dal software- tra CC, CC pulsata e RF senza interrompere il vuoto.

D: Quali utilità sono necessarie sul-sito?

R: Acqua refrigerata (da 15 a 20 gradi a 0,3 - 0,4 MPa), aria compressa (0,6 MPa), gas di processo ad elevata-purezza (Ar, N2, O2 al 99,999%) e alimentazione industriale trifase dedicata.

D: Come viene regolata la temperatura del substrato durante la deposizione?

R: Pirometri a infrarossi integrati abbinati a banchi di riscaldatori radianti e controllo a circuito chiuso-PID.

 

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