Il sistema di evaporazione sotto vuoto assistito da ioni-integra sorgenti di evaporazione termica ad alto-vuoto o a fascio di elettroni-con una sorgente ionica di tipo Kaufman-o End-Hall. Bombardando il film in crescita con gas ionizzato (Ar o O2) durante la deposizione fisica da vapore (PVD), il sistema trasferisce energia cinetica agli adatomi, sopprimendo la microstruttura colonnare e prevenendo l'assorbimento di umidità nei film sottili ottici e dielettrici.
Costruito per l'integrazione nelle camere bianche e la produzione continua su più-turni, il sistema è scalabile da ingombri di ricerca e sviluppo (camere da 300 mm) a linee industriali ad alta-produzione (configurazioni a doppia-porta da 900 mm e rotazione planetaria).
Specifiche tecniche
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Categoria dei parametri |
Specifica tecnica |
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Dimensioni della camera |
600 mm x 600 mm x 600 mm (Personalizzabile fino a 1200 mm) |
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Materiale della camera |
Acciaio inossidabile 304L, superfici interne elettrolucidate a Ra < 0,2 um |
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Pressione di base |
<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere) |
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Pressione estrema |
<= 8.0 x 10^-6 Pa |
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Fonti di evaporazione |
Pistola multi-E-beam (6 x 15 cc / 4 x 40 cc) e sorgenti termiche resistive |
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Sorgente ionica |
Fine-Hall/sorgente ionica senza griglia (tensione del fascio: 50-300 V, corrente ionica: 0-500 mA) |
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Dispositivo per il substrato |
Meccanismo di rotazione planetaria (0-20 giri/min) con riscaldamento opzionale (da RT a 350 gradi C) |
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Controllo dello spessore del film |
Microbilancia a cristalli di quarzo (QCM) con doppia testa del sensore e controller PID-a circuito chiuso |
Caratteristiche principali
Densità apparente prossima-:L'elevata mobilità della superficie dell'adatomo elimina la porosità visibile del film e massimizza la durezza meccanica.
Regolazione dello stress intrinseco:L'energia del fascio ionico regolabile neutralizza lo stress meccanico, prevenendo la delaminazione su stack dielettrici spessi.
Elaborazione del budget-termico-basso:La densificazione-guidata dallo slancio consente un rivestimento-a prestazioni elevate su substrati polimerici-sensibili alla temperatura senza distorsione termica.
Automazione delle ricette:Interblocchi del vuoto-controllati da PLC e sequenziamento-di pompaggio gestiti tramite un pannello HMI-touch industriale con registrazione dei dati.
Configurazione del sistema di vuoto
Fase di sgrossatura:Pompa meccanica a palette rotanti a doppio stadio-accoppiata con un soffiatore per radici (velocità 150 L/s) per un rapido crossover.
Stadio di alto vuoto:Pompa turbomolecolare a levitazione magnetica (1600 l/s) supportata da una pompa scroll a secco senza olio- per eliminare il flusso di ritorno degli idrocarburi.
Opzione criogenica:Trappola fredda per azoto liquido e integrazione della criopompa per basse pressioni parziali del vapore acqueo.
Misura del vuoto:Misuratori Pirani e Cold Cathode calibrati in modo incrociato per-feedback in tempo reale dall'atmosfera a 10^-7 Pa.
Compatibilità dei materiali di evaporazione e del substrato
Materiali di evaporazione
Ossidi:SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3
Fluoruri:MgF2, LaF3
Metalli:Al, Ag, Au, Ti, Cr
Compatibilità del substrato
Substrati ottici:Finestre in silice fusa, N-BK7, silicio, germanio e seleniuro di zinco.
Wafer semiconduttori:Wafer di silicio e semiconduttori composti da 100 mm a 300 mm.
Polimeri:Pellicole in PET, PI (poliimmide) e PMMA che utilizzano parametri IAD a bassa-temperatura.
Applicazioni
Ottica di precisione:Rivestimenti anti-riflesso (AR), specchi laser e filtri passa banda stretti che richiedono resistenza all'umidità.
Microelettronica:Elettrodi con gate metallico, strati di adesione e barriere di passivazione nell'imballaggio di semiconduttori.
Optoelettronica:Contatti trasparenti in ossido conduttivo (TCO) e strati di incapsulamento barriera contro l'umidità OLED-.
Opzioni di personalizzazione
Geometria della camera:Costruzioni rettangolari o cilindriche su misura per i vincoli delle pareti delle camere bianche.
Integrazione multi-sorgente:Configurazioni di co-evaporazione che possono ospitare fino a tre cannoni a fascio E-e quattro imbarcazioni termiche.
Porte metrologiche in-situ:Porte di integrazione della flangia per ellissometri spettroscopici o sistemi di monitoraggio ottico.
Livello di automazione:Costruzioni di ricerca semi-automatiche o gestione completamente automatizzata dei wafer da cassetta-a-cassetta.
Protocolli di controllo e test di qualità
Rilevamento perdite:Test con spettrometro di massa ad elio su ogni camera con una soglia di rigetto rigorosa di < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s.
Verifica della pulizia:Scansione dell'analizzatore di gas residui (RGA) eseguita prima della-spedizione per verificare l'assenza di idrocarburi organici.
Burn del sistema-In:Test di funzionamento a secco continuo di 72-ore di trasmissioni meccaniche, collettori di raffreddamento e interblocchi elettrici.
Documentazione:Certificati di test di fabbrica dei materiali (MTR), schemi elettrici e rapporti di test di accettazione in fabbrica (FAT).
Installazione e supporto tecnico
Preparazione del sito:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 m^3/h), aria pulita e asciutta (CDA) e scarico.
Messa in servizio:Distribuzione del servizio sul campo per livellamento meccanico, collegamento delle utenze, calibrazione del vuoto e approvazione delle ricette-.
Formazione degli operatori:Programma in loco di 5-giorni che copre funzionamento, manutenzione preventiva, risoluzione dei problemi e interblocchi di sicurezza.
Pezzi di ricambio:Articoli critici soggetti a usura (filamenti, cristalli QCM, guarnizioni, cuscinetti turbomolecolari) stoccati a livello regionale.
Domande frequenti
D: In che modo l'IAD previene la deriva dell'indice di rifrazione?
R: Il bombardamento ionico espelle i gas residui intrappolati e compatta la crescita della pellicola fino a raggiungere una densità apparente quasi-. Ciò impedisce la condensazione dell'umidità ambientale durante lo sfiato atmosferico, garantendo uno spostamento zero della lunghezza d'onda del centro-nel tempo.
D: Qual è l'intervallo di manutenzione per le griglie e i filamenti della sorgente ionica?
R: Le sorgenti di ioni End-Hall funzionano per 150-200 ore di processo a seconda dei gas reattivi. I morsetti a rilascio rapido consentono la sostituzione dei componenti in meno di 30 minuti.
D: Il sistema è in grado di gestire processi reattivi come il TiO2?
R: Sì. I controller di flusso di massa (MFC) dedicati ad alta-precisione iniettano ossigeno o azoto direttamente nella camera e nella sorgente ionica, garantendo una stechiometria completa ed eliminando l'assorbimento di sub-ossido.
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