Apparecchiature per l'evaporazione sotto vuoto-assistita da ioni

Apparecchiature per l'evaporazione sotto vuoto-assistita da ioni

Dettagli
Il sistema di evaporazione sotto vuoto assistito da ioni-integra sorgenti di evaporazione termica ad alto-vuoto o a fascio di elettroni-con una sorgente ionica di tipo Kaufman-o End-Hall. Bombardando il film in crescita con gas ionizzato (Ar o O2) durante la deposizione fisica da vapore (PVD), il sistema trasferisce energia cinetica agli adatomi, sopprimendo la microstruttura colonnare e prevenendo l'assorbimento di umidità nei film sottili ottici e dielettrici.
Classificazione del prodotto
Apparecchiature per film sottile-per evaporazione assistita da ioni
 
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Descrizione
Parametri tecnici

Il sistema di evaporazione sotto vuoto assistito da ioni-integra sorgenti di evaporazione termica ad alto-vuoto o a fascio di elettroni-con una sorgente ionica di tipo Kaufman-o End-Hall. Bombardando il film in crescita con gas ionizzato (Ar o O2) durante la deposizione fisica da vapore (PVD), il sistema trasferisce energia cinetica agli adatomi, sopprimendo la microstruttura colonnare e prevenendo l'assorbimento di umidità nei film sottili ottici e dielettrici.


Costruito per l'integrazione nelle camere bianche e la produzione continua su più-turni, il sistema è scalabile da ingombri di ricerca e sviluppo (camere da 300 mm) a linee industriali ad alta-produzione (configurazioni a doppia-porta da 900 mm e rotazione planetaria).

 

Specifiche tecniche

 

Categoria dei parametri

Specifica tecnica

Dimensioni della camera

600 mm x 600 mm x 600 mm (Personalizzabile fino a 1200 mm)

Materiale della camera

Acciaio inossidabile 304L, superfici interne elettrolucidate a Ra < 0,2 um

Pressione di base

<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere)

Pressione estrema

<= 8.0 x 10^-6 Pa

Fonti di evaporazione

Pistola multi-E-beam (6 x 15 cc / 4 x 40 cc) e sorgenti termiche resistive

Sorgente ionica

Fine-Hall/sorgente ionica senza griglia (tensione del fascio: 50-300 V, corrente ionica: 0-500 mA)

Dispositivo per il substrato

Meccanismo di rotazione planetaria (0-20 giri/min) con riscaldamento opzionale (da RT a 350 gradi C)

Controllo dello spessore del film

Microbilancia a cristalli di quarzo (QCM) con doppia testa del sensore e controller PID-a circuito chiuso

 

Caratteristiche principali


Densità apparente prossima-:L'elevata mobilità della superficie dell'adatomo elimina la porosità visibile del film e massimizza la durezza meccanica.


Regolazione dello stress intrinseco:L'energia del fascio ionico regolabile neutralizza lo stress meccanico, prevenendo la delaminazione su stack dielettrici spessi.


Elaborazione del budget-termico-basso:La densificazione-guidata dallo slancio consente un rivestimento-a prestazioni elevate su substrati polimerici-sensibili alla temperatura senza distorsione termica.


Automazione delle ricette:Interblocchi del vuoto-controllati da PLC e sequenziamento-di pompaggio gestiti tramite un pannello HMI-touch industriale con registrazione dei dati.

 

Configurazione del sistema di vuoto


Fase di sgrossatura:Pompa meccanica a palette rotanti a doppio stadio-accoppiata con un soffiatore per radici (velocità 150 L/s) per un rapido crossover.


Stadio di alto vuoto:Pompa turbomolecolare a levitazione magnetica (1600 l/s) supportata da una pompa scroll a secco senza olio- per eliminare il flusso di ritorno degli idrocarburi.


Opzione criogenica:Trappola fredda per azoto liquido e integrazione della criopompa per basse pressioni parziali del vapore acqueo.


Misura del vuoto:Misuratori Pirani e Cold Cathode calibrati in modo incrociato per-feedback in tempo reale dall'atmosfera a 10^-7 Pa.

 

Compatibilità dei materiali di evaporazione e del substrato


Materiali di evaporazione
Ossidi:
SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3


Fluoruri:MgF2, LaF3


Metalli:Al, Ag, Au, Ti, Cr


Compatibilità del substrato
Substrati ottici:
Finestre in silice fusa, N-BK7, silicio, germanio e seleniuro di zinco.


Wafer semiconduttori:Wafer di silicio e semiconduttori composti da 100 mm a 300 mm.


Polimeri:Pellicole in PET, PI (poliimmide) e PMMA che utilizzano parametri IAD a bassa-temperatura.

 

Applicazioni


Ottica di precisione:Rivestimenti anti-riflesso (AR), specchi laser e filtri passa banda stretti che richiedono resistenza all'umidità.


Microelettronica:Elettrodi con gate metallico, strati di adesione e barriere di passivazione nell'imballaggio di semiconduttori.


Optoelettronica:Contatti trasparenti in ossido conduttivo (TCO) e strati di incapsulamento barriera contro l'umidità OLED-.

 

Opzioni di personalizzazione


Geometria della camera:Costruzioni rettangolari o cilindriche su misura per i vincoli delle pareti delle camere bianche.


Integrazione multi-sorgente:Configurazioni di co-evaporazione che possono ospitare fino a tre cannoni a fascio E-e quattro imbarcazioni termiche.


Porte metrologiche in-situ:Porte di integrazione della flangia per ellissometri spettroscopici o sistemi di monitoraggio ottico.


Livello di automazione:Costruzioni di ricerca semi-automatiche o gestione completamente automatizzata dei wafer da cassetta-a-cassetta.

 

Protocolli di controllo e test di qualità


Rilevamento perdite:Test con spettrometro di massa ad elio su ogni camera con una soglia di rigetto rigorosa di < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s.


Verifica della pulizia:Scansione dell'analizzatore di gas residui (RGA) eseguita prima della-spedizione per verificare l'assenza di idrocarburi organici.


Burn del sistema-In:Test di funzionamento a secco continuo di 72-ore di trasmissioni meccaniche, collettori di raffreddamento e interblocchi elettrici.


Documentazione:Certificati di test di fabbrica dei materiali (MTR), schemi elettrici e rapporti di test di accettazione in fabbrica (FAT).

 

Installazione e supporto tecnico


Preparazione del sito:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 m^3/h), aria pulita e asciutta (CDA) e scarico.


Messa in servizio:Distribuzione del servizio sul campo per livellamento meccanico, collegamento delle utenze, calibrazione del vuoto e approvazione delle ricette-.


Formazione degli operatori:Programma in loco di 5-giorni che copre funzionamento, manutenzione preventiva, risoluzione dei problemi e interblocchi di sicurezza.


Pezzi di ricambio:Articoli critici soggetti a usura (filamenti, cristalli QCM, guarnizioni, cuscinetti turbomolecolari) stoccati a livello regionale.

 

Domande frequenti

 

D: In che modo l'IAD previene la deriva dell'indice di rifrazione?

R: Il bombardamento ionico espelle i gas residui intrappolati e compatta la crescita della pellicola fino a raggiungere una densità apparente quasi-. Ciò impedisce la condensazione dell'umidità ambientale durante lo sfiato atmosferico, garantendo uno spostamento zero della lunghezza d'onda del centro-nel tempo.

D: Qual è l'intervallo di manutenzione per le griglie e i filamenti della sorgente ionica?

R: Le sorgenti di ioni End-Hall funzionano per 150-200 ore di processo a seconda dei gas reattivi. I morsetti a rilascio rapido consentono la sostituzione dei componenti in meno di 30 minuti.

D: Il sistema è in grado di gestire processi reattivi come il TiO2?

R: Sì. I controller di flusso di massa (MFC) dedicati ad alta-precisione iniettano ossigeno o azoto direttamente nella camera e nella sorgente ionica, garantendo una stechiometria completa ed eliminando l'assorbimento di sub-ossido.

 

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