Il sistema a film sottile di evaporazione assistita da ioni (IAE) integra la deposizione fisica in fase di vapore (PVD) con il bombardamento energetico di fasci ionici. Durante l'evaporazione termica o con fascio di elettroni-, una sorgente ionica ausiliaria Kaufman o End-Hall dirige gli ioni di argon o di gas reattivo sul substrato in crescita. Questo trasferimento di quantità di moto migliora la mobilità dell'atomo, elimina i vuoti colonnari e produce film densi e stabili all'umidità-con indici di rifrazione quasi-di massa e deriva termica minima.
Progettato per ambienti di produzione e ricerca che richiedono un controllo rigoroso sulle costanti ottiche e sullo stress residuo, questo sistema è compatibile con cannoni a fascio elettronico multi-tascabili, evaporatori a resistenza e dispositivi di substrato personalizzabili.
Specifiche tecniche
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Parametro |
Specifica |
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Pressione base finale |
< 5.0 x 10^-6 Pa (achieved within 40 minutes via high-throughput cryo/turbomolecular pumping) |
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Pressione di esercizio |
Da 1,0 x 10^-1 a 1,0 x 10^-2 Pa (durante l'iniezione di gas reattivo) |
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Rotazione del substrato |
Velocità variabile di rotazione planetaria o ad asse singolo-: 0–30 giri/min, opzioni controllate da acqua/riscaldamento- |
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Fonti di evaporazione |
Pistola a fascio E-da 1 a 4 tasche (6kW–15kW) e/o sorgenti di resistenza multi-canale |
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Tipo di sorgente ionica |
Sorgente ionica Gridless End-Hall o Kaufman con griglia (50–500 eV, 0–1000 mA) |
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Ripetibilità del processo |
<= +/- 0.15% batch-to-batch optical thickness repeatability over a 500mm carrier area |
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Materiale della camera |
Acciaio inossidabile 304L, pareti interne elettro-lucidate a Ra < 0,25 um |
Caratteristiche principali
Trasferimento del momento ionico in tempo reale-:Il bombardamento ionico-assistito densifica le microstrutture, sopprimendo l'assorbimento di umidità ambientale e lo spostamento dell'indice di rifrazione. L'analisi SEM-sezionale verifica la formazione di vuoti colonnari pari a zero negli stack di ossidi.
Regolazione della tariffa-a circuito chiuso:Gli alimentatori controllati da PID-si interfacciano direttamente con i sensori multi-microbilancia a cristalli di quarzo (QCM) multicanale per mantenere la stabilità del tasso di deposizione entro +/- 0.1 Å/s.
Gestione termica a basso difetto:I gruppi di riscaldatori a radiazione consentono la pre-pulizia del substrato e la ricottura in-situ fino a 400 gradi con uniformità di +/- 2.5 gradi.
Manutenzione-rapida:Le flange della sorgente ad accesso rapido-e i gruppi modulari-della griglia ionica consentono una manutenzione interna completa e il rifornimento target in meno di 2 ore, riducendo al minimo i tempi di inattività non programmati delle camere bianche.
Configurazione del sistema di vuoto
Pila di pompaggio:Pompa di supporto (Roots + pala rotativa) abbinata a pompe turbomolecolari ad alta-portata (capacità di 1600 L/s) o criopompe (1500 L/s) progettate per gestire carichi di gas reattivi durante processi IAE ad alta-velocità.
Valvole e guarnizioni:Le valvole a saracinesca pneumatiche e le doppie guarnizioni in Viton/metallo-isolano la camera di processo dalle linee di sgrossatura, impedendo il riflusso degli idrocarburi.
Interblocchi a pressione:La sequenza PLC automatizzata monitora la pressione della linea principale, la portata dell'acqua di raffreddamento e la fornitura di aria compressa prima dell'attivazione della pistola a fascio E- ad alta tensione.
Compatibilità dei materiali di evaporazione e del substrato
Materiali di evaporazione:Ossidi (TiO2, ZrO2, SiO2, Al2O3), fluoruri (MgF2) e metalli ad elevata-purezza (Au, Ag, Al, Ti).
Materiali del substrato:Vetro ottico (BK7, silice fusa), wafer di silicio (fino a 300 mm), semiconduttori composti (GaAs, InP) e ceramica/metalli.
Fissaggio:Supporti per substrati in alluminio o acciaio inossidabile lavorati su misura-progettati per la conduttività termica e la generazione minima di particelle durante la rotazione planetaria.
Applicazioni e serie configurabili
Serie-O (ottica di precisione):Ottimizzato per filtri interferenziali ottici multi-strato, specchi laser e rivestimenti AR. Integrato con monitoraggio ottico a banda larga (OMS) e rotazione planetaria ad alta-densità per garantire uno spostamento spettrale < 0,1% in caso di variazioni dell'umidità ambientale.
Serie-S (imballaggi e sensori per semiconduttori):Progettato per strati iniziali di metallo a bassa-temperatura e passivazione dielettrica su wafer di silicio da 200 mm/300 mm con compatibilità con blocco di-carico libero-di particelle.
Serie-R (R&S/Ricerca sui materiali avanzati):Architettura della camera altamente flessibile che supporta sorgenti ioniche doppie e interscambio rapido-del deck della sorgente per laboratori universitari e centri di ricerca e sviluppo aziendali.
Personalizzazione e integrazione ingegneristica
Dimensioni della camera:Volumi interni personalizzati che vanno da 600 mm a 1200 mm di diametro.
Livelli di automazione:Ricette PLC semi-automatiche o ricette completamente automatiche controllate tramite software SCADA touch screen industriale-con Audit Trail (opzioni conformi a 21 CFR Parte 11 disponibili per la produzione medicale/di sensori).
Porte diagnostiche:Flange NW/CF aggiuntive assegnate per l'ellissometria spettroscopica in-situ o per gli analizzatori di gas residui (RGA).
Controllo qualità e verifica di fabbrica
Rilevamento perdite:Ogni camera a vuoto viene sottoposta a test di tenuta con spettrometro di massa ad elio fino a una soglia di < 1 x 10^-10 Pa*m^3/s prima del rilascio in fabbrica.
Convalida microstrutturale:Il QA standard include l'ispezione opzionale dei campioni SEM trasversale-sezionale per verificare la densità della pellicola e l'uniformità strutturale.
Sicurezza elettrica:Test di resistenza all'isolamento ad alta-tensione, continuità di messa a terra e risposta dell'interblocco eseguiti secondo gli standard CE/SEMI S2.
Installazione e supporto tecnico
Test di accettazione in fabbrica (FAT):Completato presso il nostro stabilimento di produzione; i clienti ricevono un rapporto di esecuzione di base che verifica la pressione di base, la stabilità del tasso di deposizione e l'emissione di corrente ionica.
Test di accettazione in sito (SAT):Gli ingegneri in loco-supervisionano le manovre, i collegamenti alle utenze (acqua di raffreddamento, energia elettrica, aria compressa, gas di processo) e le operazioni di calibrazione.
Documentazione:Manuali di assistenza completi includono schemi elettrici, etichette logiche di origine PLC, schemi di tubazioni del vuoto ed elenchi di parti di consumo.
Domande frequenti
D: In che modo l'assistenza ionica influisce sullo stress del film negli stack dielettrici?
R: Il bombardamento ionico energetico compatta i bordi dei grani e neutralizza lo stress da trazione tipicamente presente nei film evaporati, consentendo la regolazione dello stress da trazione a stati quasi-zero o leggermente compressivi regolando l'energia del fascio ionico e la densità di corrente.
D: Qual è la comprovata ripetibilità batch-a-batch del sistema?
R: Attraverso un test continuo del ciclo di vita di 300 esecuzioni utilizzando dielettrici di ossido standard (SiO2/Ta2O5), il sistema mantiene una ripetibilità dello spessore ottico di<= +/- 0.15% across a 500mm carrier area.
D: Quali utenze sono necessarie nel luogo di installazione?
A: Standard requirements include 3-phase 380V/480V AC, chilled cooling water (18–22°C, >= 5 bar), aria compressa (0,6 MPa) e ventilazione di scarico per pompe meccaniche. La mappatura esatta dei servizi viene fornita durante la pianificazione della struttura.
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