Apparecchiatura per la deposizione di film sottile-assistita da ioni

L'apparecchiatura per la deposizione di film sottili assistita da ioni-serie IA integra l'evaporazione termica a fascio di elettroni-con una sorgente ionica Kaufman o End-Hall. Il bombardamento ionico energetico (miscela di argon/ossigeno) durante la deposizione trasferisce la quantità di moto agli adatomi, eliminando i vuoti colonnari, sopprimendo l'assorbimento di umidità e stabilizzando gli indici di rifrazione. Progettata per ricerca e sviluppo ad alta precisione-e produzione continua, la camera in acciaio inossidabile-mantiene una pressione di base inferiore a 5 x 10^-6 Pa per fornire film sottili stechiometrici densi per ottica, sensori e semiconduttori.

Densificazione della microstruttura:Il bombardamento ionico simultaneo aumenta la densità di impaccamento vicino ai valori di massa facendo collassare i confini del grano.

Controllo dello stress intrinseco:I rapporti di arrivo ione-a-atomo regolabili impediscono la delaminazione della pellicola su substrati fragili (silicio, germanio, silice fusa).

Adesione migliorata:La pre-pulizia tramite attacco ionico rimuove gli ossidi nativi e i contaminanti superficiali prima della deposizione.

Automazione-a ciclo chiuso:L'architettura PLC automatizza la sequenza del vuoto, l'attuazione dell'otturatore, la rampa di potenza e gli MFC a gas.

Isolamento termico:Le pareti della camera-raffreddata ad acqua e gli schermi contro le radiazioni proteggono i substrati dalle radiazioni del focolare e-.

Pompa ad alto- vuoto:Pompa turbomolecolare a levitazione magnetica (1600 L/s per N2) per funzionamento senza olio.

Fase di sgrossatura:Paletta rotativa a trasmissione diretta- abbinata a un ventilatore Roots per un rapido crossover.

Guarnizioni e valvole:Valvole a saracinesca pneumatiche con guarnizioni di cottura in Viton/metallo-.

Interblocchi:Manometri Pirani e a catodo freddo integrati con circuiti di protezione da sovrapressione.

Materiali di evaporazione:
Ossidi (SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5)
Fluoruri (MgF2, YF3)
Metalli refrattari (Ti, Cr, Al)

Materiali del substrato:
Silice fusa, vetro ottico, ZnSe, wafer di silicio, GaAs, acciaio inossidabile.

Ottica di precisione:Rivestimenti anti-riflesso, filtri passa-banda e specchi ad alta-riflettività per sistemi di telecomunicazioni laser e DWDM.

Finestre IR:Pellicole antiriflesso protettive e durevoli-su ottiche per imaging termico in germanio e silicio.

Semiconduttori:Film isolanti dielettrici e strati di passivazione dei contatti metallici.

Optoelettronica:Strati di ossido conduttivo trasparente per array di sensori e pannelli piatti.

Geometria della camera:Dimensioni della busta su misura per maschere di produzione specializzate o ottiche di grande-formato.

Integrazione sorgente:Configurazioni a doppia e-gun, barche a resistenza termica o fonti reattive di cracking termico.

Automazione:Pacchetti software per la produzione di luci-conformi a SECS/GEM.

Dispositivi del substrato:Supporti personalizzati per lenti curve, micro-prismi o wafer da 300 mm.

Standard di conformità:Costruito secondo le linee guida CE e SEMI S2/S8 per camere bianche.

Rilevamento perdite:Test con spettrometro di massa ad elio su tutte le saldature (tasso di perdita<= 1 x 10^-10 Pa*m^3/s).

Masterizza-In:Funzionamento a secco continuo di 72 ore di passanti meccanici e interblocchi.

Verifica dell'uniformità:Analisi spettrofotometrica che verifica la distribuzione dello spessore entro +/- - 1% sul supporto.

Tempi di consegna:I tempi di produzione standard, FAT e imballaggio vanno da 16 a 20 settimane dall'approvazione tecnica-e dal deposito.

Preparazione del sito:Manuale di utilità completo fornito in anticipo (specificando il flusso di acqua refrigerata, l'alimentazione a 380 V e l'aria compressa).

Messa in servizio:Installazione, calibrazione e messa a punto dei processi in-sede da parte di ingegneri esperti sul campo.

Supporto del ciclo di vita:Pezzi di ricambio critici immagazzinati localmente (filamenti, cristalli di quarzo, kit di guarnizioni) per una spedizione rapida.